Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET
2024-12-5 来源：- 作者：-
器件占位面积小，采用BWL设计，ID高达795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 C/W的RthJC可优化热性能
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年12月4日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 10x12封装的新型40 V TrenchFET® 四代n沟道功率MOSFET---SiJK140E，该器件拥有优异的导通电阻，能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。与相同占位面积的竞品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的导通电阻降低了32 %，同时比采用TO-263-7L封装的40 V MOSFET的导通电阻低58 %。
日前发布的这款器件在10 V电压下的典型导通电阻低至0.34 m，最大限度减少了传导造成的功率损耗，从而提高了效率，同时通过低至0.21 °C/W典型值的RthJC改善了热性能。SiJK140E允许设计人员使用一个器件（而不用并联两个器件）实现相同的低导通电阻，从而提高了可靠性，并延长了平均故障间隔时间（MTBF）。
MOSFET采用无线键合（BWL）设计，最大限度减少了寄生电感，同时最大限度提高了电流能力。采用打线键合（BW）封装的TO-263-7L解决方案电流限于200 A，而SiJK140E可提供高达795 A的连续漏极电流，以提高功率密度，同时提供强大的SOA功能。与TO-263-7L相比，器件的PowerPAK 10x12封装占位面积为120 mm2，可节省27 %的PCB空间，同时厚度减小50 %。
SiJK140E非常适合同步整流、热插拔和OR-ing功能。典型应用包括电机驱动控制、电动工具、焊接设备、等离子切割机、电池管理系统、机器人和3D打印机。为了避免这些产品出现共通，标准级FET提供了2.4Vgs的高阈值电压。MOSFET符合RoHS标准且无卤素，经过100 % Rg和UIS测试。
PPAK10x12与 TO-263-7L规格对比
SiJK140E现可提供样品并已实现量产，订货周期为36周。
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